DDB6U75N16YR datasheet
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>> DDB6U75N16YR IGBT 模块 N-CH 1.2KV 69A datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
DDB6U75N16YR
库存数量:
48
制造商:
Infineon Technologies
描述:
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 69A
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> IGBT 模块
描述
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 69A
制造商
Infineon Technologies
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
在25 C的连续集电极电流
69 A
栅极—射极漏泄电流
功率耗散
最大工作温度
+ 125 C
封装 / 箱体
EASY2
封装
相关资料
属性
链接
代理商
DDB6U75N16YR
DDB6U84N10R
DDB6U84N12R
DDB6U84N12RR
DDB6U84N14RR
DDB6U84N16R
供应商
公司名
电话
北京元坤伟业科技有限公司
010-62104931
刘先生
深圳国芯威科技有限公司
0755-29676185
杨小小
深圳市科翼源电子有限公司
13510998172
朱小姐
深圳市华诺星科技有限公司
18998911681
陈康
深圳市晶美隆科技有限公司
0755-82519391
李林
深圳市铭联荣科技有限公司
13928445329
彭勇宾
DDB6U75N16YR 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
1
97.29
97.29
10
89.908
899.08
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